| Общие характеристики | | Тип памяти | DDR2 | | | | | Форм-фактор | SODIMM 200-контактный | | | | | Тактовая частота | 667 МГц | | | | | Пропускная способность | 5300 Мб/с | | | | | Объем | 1 модуль 1024 Мб | | | | | Поддержка ECC | нет | | | | | Буферизованная (Registered) | нет | | | | | Низкопрофильная (Low Profile) | нет | | | | | Тайминги | | CAS Latency (CL) | 5 | | | | | RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 | | | | | Row Precharge Delay (tRP) | 5 | | | |
| | Дополнительно | | Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка | | | | | Напряжение питания | 1.8 В | | | | | Количество ранков | 2 | | | |
|
;)
Корзина