| Общие характеристики | | Тип памяти | DDR | | | | | Форм-фактор | SODIMM 200-контактный | | | | | Тактовая частота | 400 МГц | | | | | Пропускная способность | 3200 Мб/с | | | | | Объем | 1 модуль 1024 Мб | | | | | Поддержка ECC | нет | | | | | Буферизованная (Registered) | нет | | | | | Низкопрофильная (Low Profile) | нет | | | | | Тайминги | | CAS Latency (CL) | 3 | | | | | RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 | | | | | Row Precharge Delay (tRP) | 3 | | | |
| | Дополнительно | | Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка | | | | | Напряжение питания | 2.6 В | | | | | Дополнительная информация | Позолоченные контакты. | | | |
|
;)
Корзина