Общие характеристики | Тип памяти | DDR2 | | | Форм-фактор | DIMM 240-контактный | | | Тактовая частота | 667 МГц | | | Пропускная способность | 5300 Мб/с | | | Объем | 1 модуль 1024 Мб | | | Поддержка ECC | есть | | | Буферизованная (Registered) | да | | | Низкопрофильная (Low Profile) | нет | | | Тайминги | CAS Latency (CL) | 5 | | |
| Дополнительно | Количество чипов каждого модуля | 18, двусторонняя упаковка | | | Напряжение питания | 1.8 В | | | Количество ранков | 1 | | |
|